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类别是'category.MOSFETs 晶体管阵列' (10000)
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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | Maximum Voltage | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 容差 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 终止次数 | ECCN 代码 | 温度系数 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 附加功能 | 子类别 | 额定功率 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 屏蔽/屏蔽 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 输出类型 | 失败率 | 配置 | 通道数量 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 产品类别 | 晶体管类型 | 连续放电电流(ID) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 雪崩能量等级（Eas） | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 最大rds | 产品 | 连接类型 | 特征 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 电源类型 | 知识产权评级 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMTH10H032LPDWQ-13 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 (Type UXD) | Diodes Incorporated | Bulk | DMTH10 | 24A (Tc) | 活跃 | 2 | PowerDI5060-8 | 2500 | Diodes Incorporated | Diodes Incorporated | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | Automotive, AEC-Q101 | MOSFETs | MOSFET (Metal Oxide) | 8 | 2 N-Channel | 3W (Ta), 37W (Tc) | 32mOhm @ 5A, 10V | 2.5V @ 250µA | 683pF @ 50V | 11.9nC @ 10V | 100V | MOSFET | N | Standard | MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DMC1015UPD-13-52 | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-PowerTDFN | PowerDI5060-8 | Diodes Incorporated | Bulk | DMC1015 | 9.5A (Ta), 6.8A (Ta) | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | MOSFET (Metal Oxide) | N and P-Channel | 2.3W (Ta) | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 35mOhm @ 8.9A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 1495pF @ 6V, 1745pF @ 10V | 15.6nC @ 4.5V, 15.4nC @ 4.5V | 12V, 20V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDMS8095AC | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-PowerWDFN | 8-MLP (5x6), Power56 | Fairchild Semiconductor | Bulk | 6.2A, 1A | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerTrench® | 2.3W | N and P-Channel | 30mOhm @ 6.2A, 10V | 4V @ 250µA | 2020pF @ 75V | 30nC @ 10V | 150V | Standard | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DIT095N08 | Diotec Semiconductor AG | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD87353Q5D | National Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CSD85301Q2 | National Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60HM70T1G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | SP1 | 微芯片技术 | Non-Compliant | 39 | Bulk | APTC60 | 39A | 活跃 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | 1 % | 2 | 100 ppm/°C | 237 kΩ | Metal Film | Discrete Semiconductor Modules | 250 mW | 250 mW | MOSFET (Metal Oxide) | 0.1 % | 4 N-Channel (Half Bridge) | 250 | 250W | 70mOhm @ 39A, 10V | 3.9V @ 2.7mA | 7000pF @ 25V | 259nC @ 10V | 600V | Dual N | - | Military, Moisture Resistant, Weldable | Discrete Semiconductor Modules | 6.35 mm | 2.29 mm | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCMC90AM12C3AG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | Module | SP3F | 微芯片技术 | Tube | MSCMC90 | 110A (Tc) | 活跃 | 900 V | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | Tube | - | Rectifier Diode Module | Discrete Semiconductor Modules | Si | - | - | - | - | - | - | 900V | Discrete Semiconductor Modules | - | Diode Power Modules | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50HM75FT3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | 46 | Bulk | APTM50 | 46A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 357 | 357W | 90mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 2.5mA | 5600pF @ 25V | 123nC @ 10V | 500V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDT290UNEH | Nexperia | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-563, SOT-666 | SOT-666 | Nexperia USA Inc. | - 55 C | 4000 | SMD/SMT | 1.6 S | Enhancement | 934065732125 | Nexperia | Nexperia | 450 pC | 380 mOhms | Details | 86 ns | 800 mA | Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®; | PMDT290 | 800mA (Ta) | 活跃 | MSL 1 - Unlimited | AEC-Q101 | N通道 | 800mA | 20 V | 6 ns | 950 mV | 1.09 W | + 150 C | - 8 V, + 8 V | -55°C ~ 150°C (TJ) | MouseReel | Automotive, AEC-Q101 | MOSFETs | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) | 2 Channel | 330mW (Ta), 1.09W (Tc) | 380mOhm @ 500mA, 4.5V | 950mV @ 250µA | 83pF @ 10V | 4.5V | 4 ns | 20V | MOSFET | 2 N-Channel Trench MOSFET | N通道 | - | MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AP2318A | Diodes | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 16016811 | 7 mm | Turck | 有 | Shielded | NO PNP | Cable with M12 Connector | DC | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATM2302NSA | Eaton | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 24 VAC;24 VDC | 7000-41721-2360000 | Murrelektronik | PUR | 4 Amps | IP66K/IP67 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDW9926A | Fairchild | 数据表 | 557 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8-TSSOP | Fairchild Semiconductor | Bulk | 4.5A | Obsolete | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerTrench® | 600mW | 2 N-Channel (Dual) | 32mOhm @ 4.5A, 4.5V | 1.5V @ 250µA | 630pF @ 10V | 9nC @ 4.5V | 20V | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PMDXB550UNE，147-NEX | Nexperia | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Nexperia USA Inc. | 活跃 | Bulk | * | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20DUM08TG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 微芯片技术 | Bulk | APTM20 | 208A | 活跃 | 208 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Dual) | 781W | 10mOhm @ 104A, 10V | 5V @ 5mA | 14400pF @ 25V | 280nC @ 10V | 200V | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100A23STG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 微芯片技术 | 36 | Bulk | APTM100 | 36A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 694 | 694W | 270mOhm @ 18A, 10V | 5V @ 5mA | 8700pF @ 25V | 308nC @ 10V | 1000V (1kV) | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTMC60TL11CT3AG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | 125 °C | 有 | APTMC60TL11CT3AG | Microsemi Corporation | 1 | 不推荐 | MICROSEMI CORP | 5.67 | 28 | Bulk | APTMC60 | 28A (Tc) | 活跃 | , | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | EAR99 | 其他晶体管 | Silicon Carbide (SiC) | compliant | 4 N-Channel (Three Level Inverter) | 125W | 98mOhm @ 20A, 20V | 2.2V @ 1mA | 950pF @ 1000V | 49nC @ 20V | 1200V (1.2kV) | 28 A | Dual N | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 125 W | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC80H15T1G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP1 | NO | SP1 | 12 | SILICON | 微芯片技术 | MICROSEMI CORP | 5.76 | 28 A | 28 | Bulk | APTC80 | 28A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 未说明 | 150 °C | 有 | APTC80H15T1G | RECTANGULAR | 4 | 活跃 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 12 | R-XUFM-X12 | 不合格 | 4 N-Channel (Half Bridge) | 增强型MOSFET | ISOLATED | 277W | SWITCHING | 150mOhm @ 14A, 10V | 3.9V @ 2mA | 4507pF @ 25V | 180nC @ 10V | 800V | N-CHANNEL | Discrete Semiconductor Modules | 28 A | 0.15 Ω | 110 A | 800 V | Dual N | 670 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 277 W | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50H10FT3G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP3 | SP3 | 微芯片技术 | 37 | Bulk | APTM50 | 37A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 312W | 120mOhm @ 18.5A, 10V | 5V @ 1mA | 4367pF @ 25V | 96nC @ 10V | 500V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100H18FG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | Bulk | APTM100 | 43A | 活跃 | 43 | -40°C ~ 150°C (TJ) | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 780W | 210mOhm @ 21.5A, 10V | 5V @ 5mA | 10400pF @ 25V | 372nC @ 10V | 1000V (1kV) | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20AM05FG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | 317 | Bulk | APTM20 | 317A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1136W | 5mOhm @ 158.5A, 10V | 5V @ 10mA | 27400pF @ 25V | 448nC @ 10V | 200V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM100A18FTG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | NO | SP4 | 12 | SILICON | 微芯片技术 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.39 | MODULE | 43 A | 43 | Bulk | APTM100 | 43A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X12 | FLANGE MOUNT | 1 | UNSPECIFIED | 未说明 | 150 °C | 有 | APTM100A18FTG | RECTANGULAR | 2 | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | e1 | 有 | EAR99 | 锡银铜 | 雪崩 额定 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 12 | R-XUFM-X12 | 不合格 | 2 N-Channel (Half Bridge) | 增强型MOSFET | 780 | ISOLATED | 780W | SWITCHING | 210mOhm @ 21.5A, 10V | 5V @ 5mA | 10400pF @ 25V | 372nC @ 10V | 1000V (1kV) | N-CHANNEL | Discrete Semiconductor Modules | 0.216 Ω | 172 A | 1000 V | Dual N | 3000 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM20AM06SG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP6 | SP6 | 微芯片技术 | 300 | Bulk | APTM20 | 300A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 1250W | 7.2mOhm @ 150A, 10V | 5V @ 6mA | 18500pF @ 25V | 325nC @ 10V | 200V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTM50HM75STG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 底座安装 | SP4 | SP4 | 微芯片技术 | + 150 C | - 30 V, + 30 V | - 40 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | Microchip Technology / Atmel | Details | 46 | Bulk | APTM50 | 46A | 活跃 | 600 V | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | - | 全桥 | Discrete Semiconductor Modules | MOSFET (Metal Oxide) | 4 N-Channel (Half Bridge) | 357 | 357W | 90mOhm @ 23A, 10V | 5V @ 2.5mA | 5600pF @ 25V | 123nC @ 10V | 500V | Discrete Semiconductor Modules | Dual N | - | 功率MOSFET模块 | 1.9 V | Discrete Semiconductor Modules | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTC60TAM24TPG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SP6 | 23 | SP6-P | 微芯片技术 | Tray | APTC60 | 95A | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | Details | 有 | APTC60TAM24TPG | 活跃 | MICROSEMI CORP | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tube | CoolMOS™ | 150 °C | -40 °C | Discrete Semiconductor Modules | 462 W | MOSFET (Metal Oxide) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 462W | 24mOhm @ 47.5A, 10V | 3.9V @ 5mA | 14400pF @ 25V | 300nC @ 10V | 600V | Discrete Semiconductor Modules | 95 A | 14.4 nF | 超级交界处 | 24 mΩ | Discrete Semiconductor Modules | 无 |
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DMTH10H032LPDWQ-13
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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DMC1015UPD-13-52
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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FDMS8095AC
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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DIT095N08
Diotec Semiconductor AG
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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CSD87353Q5D
National Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
-
CSD85301Q2
National Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTC60HM70T1G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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MSCMC90AM12C3AG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM50HM75FT3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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PMDT290UNEH
Nexperia
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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AP2318A
Diodes
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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ATM2302NSA
Eaton
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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FDW9926A
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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PMDXB550UNE，147-NEX
Nexperia
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM20DUM08TG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM100A23STG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTMC60TL11CT3AG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTC80H15T1G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM50H10FT3G
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM100H18FG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM20AM05FG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM100A18FTG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM20AM06SG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTM50HM75STG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
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APTC60TAM24TPG
Microchip
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays